LED發(fā)展史中的關(guān)鍵技術(shù)的突破總結(jié)如下:1907年，在碳化硅里觀察到電致發(fā)光現(xiàn)象;1954年，始制作CaP單晶并對其性能進(jìn)行研究；1955年，觀測到GaP發(fā)光現(xiàn)象；1962年。開發(fā)出GaAsP系紅光LED；1966年，GaAs系紅外LED的外部量子效率達(dá)6％；1967年，GaP:ZnO系紅光LED的外部量子效率達(dá)2Q;1969年，SiC系藍(lán)光LED的電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)0.005...